C3M0280090DによるAB級SiC MOSFETアンプの位相補償

C3M0280090DによるAB級SiC MOSFETアンプの位相補償を再検討します。

LT1166の回路図(Figure 19. 100W Audio Amplifier) が元になっています。

主な位相補償の変更点は、R4=1k, R24=6.8kになります。

Base Stopper, Gate Stopperは発振防止のため、

ともに100Ωとしています。

 

LTspiceの回路図です。

周波数応答がこちらです。

1stポールが61kHz、2ndポールが13MHz、

一番周波数応答の悪いC点(赤)で、

位相余裕@1.1MHz=82.8deg, ゲイン余裕@7.2MHz=9.8dB

となりました。

 

定数変更後の試作基板はこちらです。

バイパスコンデンサは、

ブートストラップ電源(+-15V)に63PZA22M8X10と、

メインレール(+-50V)にRFS-50V220MH3#A-T2です。

無信号時の出力オフセットはLch=3.8mV, Rch=10.8mVとなりました。

音はエージングが進むにつれて、いい感じになっています。

重低音も問題なくでています。

 

AB級SiC MOSFETアンプのドライバBJTの交換

AB級(LT1166)SiC MOSFET(C3M0280090D)アンプの

ドライバBJTをMJE15032/MJE15033に交換しました。

 

交換前のドライバBJT(2SC4883A/2SA1859A)は、

コンプリメンタリとはいっても、

ftがそれぞれ120MHz/60MHzと大きく違うのと、

hfeのばらつき温度特性の影響か、

ベースストッパーが100Ωではノイズが出たり、

大音量では歪むようです。

 

そこで、ドライバBJTをMJE15032/MJE15033に変えてみたところ、

音が全く別次元といった感じに激変しました。

 

このあたりがオーディオの醍醐味というか、

回路やデータシートのパラメータは物理モデルの一部でしかないと

いうことですね。