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同期整流用のMOSFETはコイル（誘導性負荷）に対して、

スイッチングを行うため、

大きなスパイクが発生します。

 

そのため、ブレークダウン電圧を超える

スパイクに対する考察が必要になる場合があります。

 

その場合の指標が、アバランシェ耐量になりますが、

データシートの見方が複雑なので、

まとめておきます。

 

以下の資料が参考になります。

The Selection of MOSFETs for DC-DC-Converters

 

また、比較のために次の２つの耐圧300VのMOSFETのEASをあげておきます。

IRFB4137: EAS=400mJ

IPP410N30N: EAS=240mJ

SPICEモデルにもよりますが、

シミュレーションの過渡解析では、

ブレークダウン電圧を超えたあたりで、

スパイク電圧がクリップするような動作になるようです。

 

EASの範囲内のスパイクのエネルギーであれば、

最終的には、熱的破壊に至るかどうかが判断のポイントのようです。

 

また、MOSFETの構造がプレーナ型かトレンチ型かによっても、

EASが大きく異なるようです。