耐圧の大きなPch MOSFETがない場合の、
Ncn MOSFETによるハイサイド・アクティブクランプの構成方法を
LT3752-1のデータシートから引用しておきます。
HI 側アクティブ・クランプ構成（LT3752-1）
入力電圧の高いアプリケーションでは、利用可能なPチャネルMOSFETのVDS定格の不足のため、
LO側アクティブ・クランプ構成では
アクティブ・クランプ・スイッチとして使用できな
いことがあります（図13）。
この場合は、HI側アクティブ・クランプ構成（図17）
を使用したNチャネル手法を使用する必要があります。
この構成では、SWPとVINの間の
アクティブ・クランプ・コンデンサのスイッチング用に、
ゲート・ドライブ・トランスまたは
簡単なゲート・ドライブ・オプトカプラを使用して
NチャネルMOSFET（M2）を駆動する必要があります。
また、Nch用にはPch用のゲート駆動信号（図1. のAOUT）を位相反転する
必要があるようです。
これらを踏まえて、
ADP1074のPgate(LT3752のAOUTに相当）を
Nch MOSFET(Spiceモデルは2N7002)で位相反転して、
ADuM4120-1Bでハイサイド構成の
アクティブクランプNch MOSFET(SpiceモデルはR6020PNJ)を
ドライブする回路をシミュレーションしてみました。
LTSpiceの回路図を示します。
過渡解析の結果です。
緑がPgate, 青がNgate, 赤が反転してレベルシフトしたPgateです。
これで、汎用の600VのNch MOSFETから
IPA60R180P7Sなどを、
自由に1次側のスイッチングディバイスとして選択できます。
オープンデザイン・オーディオ 