LT1166による3段ダーリントンBJTアンプの位相補償その2

2N5551, 2N5401, TTC004B, TTA004B, TTC5200, TTA1943を用いた、LT1166による3段ダーリントン(Triple)BJTアンプの位相補償をまとめておきます。

こちらのリンクが参考になります。

良く使われる回路での高域特性限界: 4、フォロワ型アンプ出力段 (ダーリントンの有無)

3段ダーリントンBJTアンプの回路図

最終的な、LTSpiceによる回路図をしめします。

まず、ドミナントポールを決める入力および増幅段の差動増幅回路(LT1360, Av=27dB)のCMRRの補償容量を5pFにしてfc=88kHzとなります。

次に、フィードフォワードを決める積分回路(LT1363)をfc(1kΩ, 220pF)=720kHzとしています。この入力抵抗の値はVosに影響するようです。

無信号入力時の出力電圧(700uV)

最後にバイアス回路(LT1166)の補償容量を330pFとして、セカンドポールを26MHzとしています。

出力電圧(D)のゲイン位相図

出力の位相余裕とゲイン余裕は次のようになります。
PM: 81deg@2.0MHz
GM: -16dB@14MHz

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LT1166による3段ダーリントンBJTアンプの位相補償

2N5551, 2N5401, TTC004B, TTA004B, TTC5200, TTA1943を用いた、LT1166による3段ダーリントン(Triple)BJTアンプの位相補償をまとめておきます。

こちらのリンクが参考になります。

良く使われる回路での高域特性限界: 4、フォロワ型アンプ出力段 (ダーリントンの有無)

3段ダーリントンBJTアンプの回路図

まず、LTSpiceによる回路図をしめします。プリドライバ段のエミッタ抵抗を1kΩ(2.5mA)、ドライバ段のエミッタ抵抗を100Ω(12mA)、パワー段のエミッタ抵抗を0.22Ω(91mA)としています。

LT1166でパワー段のアイドル電流は制御していますが、プリドライバ段とドライバ段のアイドル電流で動作点が変わるようです。

プリドライバ段、ドライバ段、パワー段のアイドル電流

さらに、位相補償として、R24(U2: フィードフォワードのフィードバック抵抗)を5.1kΩ、R5(U3: カレントソースドライブのフィードバック抵抗)を1.8kΩとしています。

電圧増幅(A), フィードフォワード(B), カレントソースドライブ(C), 出力(D)のゲイン位相図

1MHz-30MHzの直線性が改善しています。

また、寄生インダクタンスの影響を低減するため、プリドライバ段、ドライバ段、出力段はPCB上で、できるだけ近くに配置することが必要なようです。