IPP129N10NF2S, TTC004B, TTA004Bを用いた、LT1166によるUHC MOSFETアンプのバイアス設定と位相補償をまとめておきます。
こちらの記事を参考にしています。
9.5.4 DC Biasing techniques with emitter/source degeneration
ドミナントポールを88kHz(ゲイン段（A)の補償容量：C1=5pFで設定)にしています。
LT1363の積分回路は1kΩ, 220pFとしています。
LT1166の外部補償容量は10pFとしています。
ダーリントンドライバ(TTC004B, TTA004B)のエミッタ抵抗およびコレクタ抵抗は220Ωとして静止電流を16mAとしています。また、エミッタ抵抗のバイパスコンデンサは100pFとしています。
ゲートストッパーは220Ωにしています。
位相余裕とゲイン余裕は以下のようになりました。
D: PM@1.9MHz=78deg, GM@16MHz=-22dB
音は、IRF530N, IRF9530NのコンプリメンタリMOSFETアンプとの比較では、よりすっきりした感じです。
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