TP65H300G4LSGによるD級GaN FETアンプの基板設計

TP65H300G4LSGによるD級GaN FETの基盤設計です。

PCBフットプリントはこちらを参考にしています。

Application Note 0007
PQFN88 and PQFN56 Lead-free 2nd Level Soldering Recommendations for
Vapor Phase Reflow

ソースパッドに隣接するベタパターンは放熱のためできるだけ大きく取っています。

ゲート抵抗(RR)とフェライトビーズ(MMZ-105H)も面実装品で設計しています。

T65PH300G4LSG-brd
配線図
T65PH300G4LSG-top
基盤上面ベタ
T65PH300G4LSG-bot
基盤下面ベタ

コメントを残す

以下に詳細を記入するか、アイコンをクリックしてログインしてください。

WordPress.com ロゴ

WordPress.com アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト /  変更 )

Google フォト

Google アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト /  変更 )

Twitter 画像

Twitter アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト /  変更 )

Facebook の写真

Facebook アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト /  変更 )

%s と連携中

このサイトはスパムを低減するために Akismet を使っています。コメントデータの処理方法の詳細はこちらをご覧ください