TP65H300G4LSGによるD級GaN FETの基盤設計です。
PCBフットプリントはこちらを参考にしています。
ソースパッドに隣接するベタパターンは放熱のためできるだけ大きく取っています。
ゲート抵抗(RR)とフェライトビーズ(MMZ-105H)も面実装品で設計しています。



LTspiceによる回路シミュレーション、EagleによるPCB設計、試作、EMSによる頒布まで
TP65H300G4LSGによるD級GaN FETの基盤設計です。
PCBフットプリントはこちらを参考にしています。
ソースパッドに隣接するベタパターンは放熱のためできるだけ大きく取っています。
ゲート抵抗(RR)とフェライトビーズ(MMZ-105H)も面実装品で設計しています。