ブートストラップ回路の最適設計

ブートストラップ回路の最適設計をまとめておきます。

 

こちらのアプリケーション・レポートが参考になります。

Bootstrap Circuitry Selection for Half-Bridge Configurations

 

ここでの設計課題は、ブートストラップ・ダイオードの選定です。

SBD(STPS2150)とFRD(STTH1R02)のどちらが最適かを検討します。

 

ハーフブリッジ・ドライバをSi8244,

ブートストラップ抵抗を1 Ohm,

ブートストラップ・コンデンサの容量を1uF,

バイパス・コンデンサの容量を10uFとして、

電源レールが+-48V、

スイッチング周波数が1MHzのD級 GaN FET(TPH3206PS)アンプの

アイドル時の様子を

LTspiceでシミュレーションしてみます。

 

まず、逆回復電流の過渡解析です。

SBDはほとんど発生しません。

FRDは-100mAほど発生します。

 

つぎに、出力電圧のノイズフロアのFFTです。

SBDは-97dBです。

FRDは-82dBです。

 

結論として、高速D級アンプでは、

ブートストラップ・ダイオードの選択によって、

ノイズレベルに大きな違いがでます。