トランスリニアバイアス回路とLT1166

トランスリニアバイアス回路についてまとめておきます。

 

LT1166 – パワー出力段自動バイアス・システム

トランス・リニア・バイアスによるパワーアンプ

黒田式トランスリニア・バイアス回路の起源?

 

LT1166のデータシートから引用します。

乗算器の動作

 

図2にLT1166内部の電流乗算器回路と、

出力トランジスタとの関連性を示します。

LT1166の電源電圧VT(トップ)とVB(ボトム)は、

パワー・デバイスの所要“オン”電圧によって設定されます。

また、基準電流IREFで、VBE7とVBE8が一定電圧に設定されます。

この電圧はQ9とQ10のエミッタ・ベース間の電圧で、

Q7とQ8のエミッタ部分の1/10になります。

この電流乗算器に対応する式は、以下のとおりです。

VBE7+VBE8=VBE9+VBE10

あるいは、電流に関しては、以下のとおりです。

(IC9)(IC10)=(IREF)2/100=一定

IC9とIC10の積は一定です。

これらの電流はミラーされ、

内部オペアンプ・ペアの(+)入力の電圧を設定します。

オペアンプの帰還によって(-)入力の電圧が等しくなり、

これらの電圧はパワー・デバイスと直列に接続されるセンス抵抗に現れます。

パワー・デバイスの2つの電流の積は一定で、

一方が増加すると他方が減少します。

Q9とQ10は対数特性に優れているため、

10倍単位の電流変動においてもこの関係が維持されます。

Q7とQ8の全電流は実際には、

IREFとシャント・レギュレータの小さな誤差電流の和になります。

高い出力電流条件では、レギュレータからの誤差電流は減少します。

レギュレータによって流れる電流も減少し、

パワー・デバイスをドライブするのに必要なだけVTまたはVBを上昇させることができます。

 

トランスリニアバイアス回路は、

原理的に電流積が一定なので、

バイアス電流が0にはなりません。

(バイアス電流が0になると電流積が0になってしまい、一定にならない)

 

LT1166によるトランスリニアバイアス回路の実装は、

ソース抵抗(エミッタ抵抗)を

バイアス電流の検出抵抗として利用しているため、

エミッタ抵抗レスの構成にするには、

他の電流検出方法を検討する必要があります。

 

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