D級アンプのデッドタイムとZVS

D級アンプの出力は通常、

Nch MOSFETによるハーフブリッジ(トーテムポール)が用いられます。

フルブリッジは、ハーフブリッジを2つ用いるので、

構成要素としては、ハーフブリッジに還元されます。

 

ハーフブリッジの上下のMOSFETのゲートをPWMで制御しますが、

現実の回路や素子にはプロパゲーションディレイや、

非線形性があるため、上下の素子が同時にオンになって、

貫通電流が発生しないように、

適切なデッドタイムが必要になります。

 

では、最適なデッドタイムはどのように設計すべきでしょうか?

 

よくあるD級アンプの解説では、

出力波形が理想的な矩形波に近づくように、

できるだけデッドタイムは小さい方がよい

としているものが見受けられます。

 

この場合、MOSFETのスイッチング時間

(ライズタイム+ターンオンディレイ、フォールタイム+ターンオフディレイなど)に、

安全係数(ゲートドライバのプロパゲーションディレイやディレイマッチング、温度係数など)

を掛けた最小値になります。

 

でも、実際、そうでしょうか?

 

オーディオ用途のD級アンプでは、

ハーフブリッジの先にLPFのコイルがあります。

そのため、スイッチングの際(デッドタイム期間)には、

MOSFETの出力容量(Coss)とLPFのコイルの間で、

共振が発生します。

 

なので、ソフトスイッチング(ZVS)を前提にする設計では、

矩形波のように垂直な電源レール間の遷移を伴う波形ではなく、

 

正弦波をレール間に縦に引き延ばしてクリップさせたような波形になります。

この場合、出力容量とコイルのインダクタンスおよび発振周波数によりますが、

デッドタイムも47-200ns程度まで、

かなり長くなります。

 

デッドタイムが大きくなると、

クロスオーバー歪みが増えると思いますか?

 

実際には共振波形は連続なので、増えません。

また、ZVSなので、

スイッチングノイズも極小です。

パンピング現象も極小になります。

なぜなら、共振エネルギーを上下のスイッチ間とコイルで、

保存する形になるので。

 

オーディオ用途であれば、

いいことずくめのようです。

 

オーディオ用途のD級アンプでは、

スイッチングノードの波形忠実度は無意味です。

なぜなら、最終的な出力は、LPF通過後の波形になるからです。

 

需要なのは、PWMのデューティサイクルに応じた、

電圧時間積の比率の精度になるからです。

 

しかしながら、スイッチングノード出力の

電圧時間積の時間はPWMで直接制御していますが、

電源電圧の制御は、自励式と他励式で大きく異なります。

 

自励発振式は電源電圧の変動を含んだスイッチングノードの

電圧波形が搬送波そのもので、

直接、積分器の入力にフィードバックするため、

十分なPSRRが簡単に得られます。

 

ところが、他励式は通常、搬送波は無帰還なので、

PSRRが原理的には0dBとなります。

というわけで、

電源側でレギュレータなどを用いて、

電源変動を抑える必要があります。

 

いずれにしても、

理論モデルやシミュレーションモデルと

現実の回路の振る舞いをよく検討した上で、

必要十分な寄生要素を含めた

適切な設計をする必要があります。

 

 

 

 

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