D級アンプのソリューションとしてポピュラーなIRS2092ですが、
高速SiC/GaN FETディバイス(C3M0280090D, TPH3206PSBなど)に適用しようとすると、
使いにくい点があるので、まとめておきます。
まず、動作周波数が800kHzまでというのが、ネックになります。
高速ディバイスを用いて自励発振式で単純に回路を組むと、
容易に1MHzを超えてしまうため、
実回路では対策をしないと動作しません。
Si8244は8MHzまで動作します。
実際の設計では、スイッチング周波数が2MHzを超えると、
表皮効果によって、スイッチングノードの発熱が大きくなって、
PCBのトレースが2Ozの基板でも焦げてしまうので、
注意が必要です。
また、スナバ回路(DCリンク、スイッチングノード、Zobelなど)の
抵抗の発熱も無視できなくなってきます。
つぎに、デッドタイムの設定値が4段階(25/40/65/105ns)
しか設定できない点です。
Si8244は0.4nsから1usまで、抵抗値の系列もしくは
ポテンショメータで無段階で設定できます。
実際の設計では、
デッドタイムはZVSを達成するために、
スイッチングディバイスに合わせてきめ細かく設定する必要があります。
最後に、
自励発振周波数を下げるためには、
プロパゲーションディレイを大きくするのが簡単ですが、
IRS2092はモノリシック構成で、
OTA(エラーアンプ・積分器)、
コンパレータ、
ゲートドライバ(IRS20957S)が
一体となっているため、
積分器の抵抗値とデッドタイムで調整するしかありません。
なお、IRS2092のリファレンス・デザインとして、
が参考になります。
これに対して、
ディスクリート(ADA4001-2, LT1713, Si8244など)構成では、
電流モードなど、
多重の状態フィードバックループを含めた対応がとれます。
なお、IRS20957Sによるディスクリート構成のリファレンス・デザインとして、
が参考になります。