電流モードのD級GaN MOSFETアンプのDC結合化

電流モードのD級GaN MOSFETアンプの入力をDC結合に変更してみました。

 

変更といっても簡単で、入力負荷抵抗(100kΩ)と結合コンデンサ(22uF)を取り除き、

入力をゲイン抵抗に直結するようにして、

ゲイン抵抗(10kΩ)と帰還抵抗(200kΩ)の値を変更しただけです。

 

LTSpiceによるシミュレーションによると、

DCカットのための1Hz前後のポールはなくせますが、

ゲイン抵抗と帰還抵抗の定数の影響で、

大振幅時の歪率(THD20)は若干、悪化します。

LTSpiceの回路図はこちらになります。

 

DC結合に変更後の実際の基板です。

左上の2Pの入力コネクタの右側の4つの部品を変更しました。

 

LT1057にDC結合していますが、

オフセット電圧はほとんど変化しません。

音を聞く限りも変化はほとんど感じません。

 

結合コンデンサ(UES1E220MEM)がなくなると、

音が激変するようなレビューをよく見ますが、

今時のバイポーラ電解コンデンサで

そんなことはおこらないようです。

 

 

 

電流モードのD級GaN MOSFETアンプのDC結合化」への2件のフィードバック

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