C3M0280090DによるAB級SiC MOSFETアンプの試作

C3M0280090DによるAB級SiC MOSFETアンプの試作です。

ドライバBJT(2SC4883A , 2SA1859Aの発振に起因すると思われる

貫通電流とノイズに対処するために、ベースストッパを100Ωから510Ωに引き上げました。

バイアスコントローラ(LT1166)の外部補償コンデンサ(Cext1(Vtop), Cext2(Vbottom))は470pFにしています。

また、アイドル電流を下げるために、電流検出抵抗を0.1Ωから0.22Ωに引き上げました。

なお、出力を絶縁するためのインダクタ(0.1uH)も空芯コイルから

フェライトコア(RLB9012-1R0ML)のものに変えました。

 

ベースになっている回路図をLT1166のデータシートから引用します。

Fig. 19 100W Audio AmplifierはコンプリメンタリのMOSFET(IRF530, IRF9530)を

シャントレギュレータドライブ(LT1360によるV/I変換)のLT1166で駆動する回路です。

Fig. 8 Bipolar Buffer Ampはダーリントンドライバ(2N2222, 2N2907)と直列ダイオード(1N4001)で、

コンプリメンタリのBJT(TIP29, TIP30)をLT1166で駆動する回路です。

これらの2つの回路をもとにダーリントンドライバとして2SC4883A, 2SA1859Aを用いて、

エミッタディジェネレーションで上側はエミッタドライブ、

下側はコレクタドライブする準コンプリメンタリ構成で

出力トランジスタのC3M0280090Dを駆動しています。

 

音自体は、もちろん素晴らしいですが、

発振対策が必要なので、実装には注意が必要です。