C3M0280090DによるD級BTL SiC MOSFETアンプの基板設計

EAGLEによるC3M0280090DによるD級BTL SiC MOSFETアンプの基板設計です。

2つのDC-DCコンバータ(DPBW03G-05, SPBW03G-15)と10個のオペアンプICを盛り込むため、

80x100mmの実装面積としては限界です。

2つのインダクタ(7G17B-220)と電解コンデンサ(ZLH 1,000uF)も場所を取るため、

8Aを流す為のトレース幅の確保も大変です。

熱損失は効率90%と仮定すると、500W出力で50Wなので、

ヒートシンクはそれほど大きくなくても大丈夫です。

上面のベタパターンです。

下面のベタパターンです。

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