C3M0065090DによるAB級BTL SiC MOSFETアンプの基板設計

EAGLEによるC3M0065090DによるAB級BTL SiC MOSFETアンプの基板設計です。

3つのDC-DCコンバータ(DPBW03G-15)と4つのヒートシンク(11PB015-01025)を盛り込んだため、

80x100mmの基板ではほぼ限界だと思います。

9x13mm角の10Ω 5Wセメント抵抗と12mm径の1uH空芯インダクタは大きすぎるので、

6mm径の3W酸金抵抗と9mm径のフェライトコア・インダクタ(RLB9012)に変えています。

8Aの電流を流すためのトレース幅の確保が大変です。

上面のベタパターンです。

下面のベタパターンです。

 

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