Si8244によるD級GaN MOSFETアンプの設計

D級GaN MOSFETアンプの

スイッチング速度を追求するために、

より高速なドライバとしてSilicon LabsのSi8244を選択し、

回路はSi824xClassD-KITを参考にして、

SPICEシミュレーションしてみました。

過渡解析の結果はこちらです。

自励発振周波数はデッドタイムに依存しますが、

2MHzを越えるようです。

 

DSDのサンプリング周波数が2.8224MHzなので、

音も期待できると思います。

 

一方でスイッチング周波数が増加するにつれて、

ドライバの熱損失が問題になってきますが、

試作してみる価値はありそうです。

 

また、Si8244は絶縁型ドライバなので、

レベルシフトが不要になり、

回路も単純になります。

 

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