SiC MOSFETアンプのSPICEシミュレーション

Rohm SCT2450KEによるSiC MOSFETアンプのSPICEシミュレーションモデルを示します。

ゲイン(R9=9.31kΩ, 23dB)、フィードスルー(C2, C3=470pF) 、位相補償(R5=2.2kΩ, C5=1000pF)に設定しています。

周波数特性は93kHz, THD20=0.026579%。

トランスコンダクタンスが1Sと低く、ゲート駆動電圧の振幅が大きいです。

20kHz矩形波応答は良好です。入力容量が463pFと低いです。

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