出力容量と帰還容量による貫通電流とその対策

矩形波応答の出力電圧が20V(電源レールが+-45Vなので、

45Vを中心にVdsは振れている)を越えたあたりから、

特に下側のMOSFETのターンオフ時に大きな貫通電流が現れます。

いろいろ調べていくと、どうやらGaN MOSFETの

ドレインソース間容量(Cds=C0ss-Crss, tfに関連)とゲートドレイン間容量(Cgd=Crss, td(off)に関連)が、

ドレインソース間電圧(Vds)20Vから0Vにかけて急激に増大する特性に起因しているようです。

TPH3205WSBQAとFQH44N10の容量特性を引用します。

この貫通電流はものすごいノイズやMOSFETおよびスピーカーの破壊の原因となるため、

対策が必要です。

 

しかしながら、入力段のゲインを26dBから20dBに下げて、

1.5Vの入力信号時に出力電圧が20Vにすることで対処するのが現実的なようです。

 

副次的に周波数特性が90kHzまで伸びますが、

出力は8Ω, 50Wとなります。

 

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