MOSFETのゲート抵抗と周波数特性

ルネサスのパワーMOS FET の特性(R07ZZ0009JJ0300)を読んでいて、

気が付いたことをまとめておきます。

MOSFETの発振対策としてゲート抵抗(ゲートストッパー)を入れますが、

経験則としての値がほとんどです。

以下、「ソースフォロワ回路における発振現象の解析」を引用しておきます。

 

10. ソースフォロワ回路における発振現象の解析<ご参考>
ソースフォロワ回路における発振現象の解析は多く行われていますが,

ソースフォロワ回路の入力インピーダンスの実数部が負になり,
虚数部が0 になる周波数で発振するという解析がもっとも一般的です。

図 51 にパワーMOS FET ソースフォロワ回路の簡略した等価回路を示します。

異常発振を防止するためにはゲート抵抗RG を付加して,
この等価回路の入力インピーダンスに負性抵抗が生じるようにするのが有効となります。

しかし,この方法はパワーMOS FET の周波数特性を悪くするとい
う欠点がありますので,
設計に際しては異常発振に対する安定度と特性のバランスを取りながらゲート抵抗を入れる必要があります。

図 52 にゲート抵抗をパラメータとしたソースフォロワ回路の周波数特性を示します。

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