Gate Zobelの最適化

GaN MOSFETアンプのトップとボトムの出力電流のボーデ線図が揃わない

原因をいろいろ追求していたところ、

どうやらゲートゾーベルが影響しているようです。

左が最適化前(100pF/100pF)、

右が最適化後(82pF/8pF)の、

トップ(緑:I(R20))・ボトム(青I(R21))出力電流の

ゲイン(実線:左目盛り)と位相(破線:右目盛り)です。

 

最適化前は、トップの電流の位相が200kHzで反転していて、

ゲインも深いディップになっています。
また、ボトムの電流の位相とゲインも200kHzで急激にロールオフしていて、

あまり余裕がありません。

 

最適化後は、トップとボトムの位相とゲインが共になだらかになって、

ボトムも4MHz程度まで位相余裕が伸びています。

 

8Ω負荷時のTHD-20は、

0.002306%から0.002197%に改善しました。

広告

コメントを残す

以下に詳細を記入するか、アイコンをクリックしてログインしてください。

WordPress.com ロゴ

WordPress.com アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト /  変更 )

Facebook の写真

Facebook アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト /  変更 )

%s と連携中

このサイトはスパムを低減するために Akismet を使っています。コメントデータの処理方法の詳細はこちらをご覧ください