GaN MOSFETアンプの基板設計

GaN MOSFET TPH3205WSをパワー段にした

LT1166とBJTドライバによる準コンプリメンタリの基板を設計してみました。

ganamp_brd

ポイントは、
バイアス電流と電流制限の検出抵抗を6つの5Wのセメント抵抗で構成したこと、
エミッタディジェネレーション、ベースストッパー、ゲートストッパーの各抵抗の配置、
メイテンロック・コネクターの配置、
ドライバBJTとパワーMOSFETの配置にあります。

3端子レギュレータ、ドライバBJT、パワーMOSFETはヒートシンクに固定します。

GaN MOSFETはTO-247パッケージのTPH3205WSBで、
足の配置はGSDになっています。

10W, 1Ωのセメント抵抗はサイズが大きすぎるので
5W, 0.47Ωのセメント抵抗を2個直列にしています。

パワー段のグランドの影響を分離するためにスリットを入れてあります。

PCBトランスとアイソレータの空芯コイルの下も
インダクタンスの影響を避けるためにパターンを抜いてあります。

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