Ultra High Currentといっても、
何アンペアから上を指すのか知りませんが、
ここでは2Ωの負荷(スピーカー)をドライブできるアンプを設計します。
MOSFETはHUF75639P3を選択します。
NチャネルUltraFET パワーMOSFET 100V、56A、25mΩ
Pd = 200W, Qg(TOT) = 130nC, Ciss = 200pF
となっていまして、
瞬時電流はトランスコンダクタンスに制限されますが、
データシートでは200Aまでグラフが伸びています。
LTspiceでシミュレートしながら次の回路図に到達しました。
SiC MOSFETアンプの回路からの変更点は、
ドライバ段の100Ωのベースストッパーを
パワー段のゲートストッパーに移動したことと、
電流検出抵抗を0.22Ωから0.1Ωに変更しただけです。
負荷抵抗を2Ωまで下げても矩形波応答は、
立ち上がりと立ち下がりが少し遅れるだけで、
ほとんど変わりません。
歪率も
THD(20kHz, 3.0Vpp, 8Ω) = 0.017626%
THD(20kHz, 3.0Vpp, 4Ω) = 0.020013%
THD(20kHz, 3.0Vpp, 2Ω) = 0.022164%
となっています。
価格も1個202円(RS)とリーズナブルです。